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IRF1405L

产品描述Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF1405L概述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)

IRF1405L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)590 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)131 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0053 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)680 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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