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3.0SMCJ51-T3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共6页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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3.0SMCJ51-T3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ51-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码DO-214AB
包装说明PLASTIC, SMC, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压69.3 V
最小击穿电压56.7 V
击穿电压标称值64.25 V
最大钳位电压91.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压51 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
3.0SMCJ SERIES
Pb
3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Features
Glass Passivated Die Construction
3000W Peak Pulse Power Dissipation
5.0V – 170V Standoff Voltage
Uni- and Bi-Directional Versions Available
Excellent Clamping Capability
Fast Response Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
E
G
Mechanical Data
Case: SMC/DO-214AB, Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional
Marking: Device Code
Weight: 0.21 grams (approx.)
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6
SMC/DO-214AB
Dim
Min
Max
A
5.59
6.22
B
6.60
7.11
C
2.75
3.25
D
0.152
0.305
E
7.75
8.13
F
2.00
2.62
G
0.051
0.203
H
0.76
1.27
All Dimensions in mm
“C” Suffix Designates Bi-directional Devices
“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices
No Suffix Designates 10% Tolerance Devices
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
T
j
, T
STG
Value
3000 Minimum
See Table 1
200
25
-55 to +150
Unit
W
A
A
°C/W
°C
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 4 and derated above T
A
= 25°C per Figure 1.
2. Mounted on 8.0mm
2
(0.013mm thick) copper pad to each terminal.
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
3.0SMCJ SERIES
1 of 6
© 2006 Won-Top Electronics
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