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BZM55C10TR

产品描述10V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZM55C10TR概述

10V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2

BZM55C10TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN SILVER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差6%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZM55C...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Saving space
Hermetic sealed parts
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints
Electrical data identical with the devices
BZT55C... / TZMC...
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
96 12315
Applications
Voltage stabilization
Order Instruction
Type
BZM55C2V4
BZM55C2V4
Ordering Code
BZM55C2V4–TR
BZM55C2V4–TR3
Remarks
Tape and Reel (2.500 pcs)
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
x
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Junction tie point
Test Conditions
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1
35
m
m copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
Symbol
R
thJA
R
thJL
Value
500
300
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number
Rev. 4, 25-Jun-01
www.vishay.com
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