Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-257AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 135 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.29 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF5Y6215CMPBF | |
|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-257AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 135 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.29 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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