RISC MICROCONTROLLER
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
包装说明 | WLCSP-104 |
Reach Compliance Code | compliant |
具有ADC | YES |
地址总线宽度 | |
位大小 | 32 |
边界扫描 | YES |
CPU系列 | CORTEX-M3 |
最大时钟频率 | 24 MHz |
DAC 通道 | YES |
DMA 通道 | YES |
外部数据总线宽度 | |
格式 | FIXED POINT |
集成缓存 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B104 |
长度 | 5.094 mm |
低功率模式 | YES |
DMA 通道数量 | 12 |
外部中断装置数量 | 16 |
I/O 线路数量 | 83 |
端子数量 | 104 |
片上数据RAM宽度 | 8 |
片上程序ROM宽度 | 8 |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
PWM 通道 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA104,9X12,16 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
RAM(字节) | 81920 |
RAM(字数) | 40960 |
ROM(单词) | 393216 |
ROM可编程性 | FLASH |
座面最大高度 | 0.585 mm |
速度 | 32 MHz |
最大压摆率 | 12.3 mA |
最大供电电压 | 3.6 V |
最小供电电压 | 1.65 V |
标称供电电压 | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.4 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 4.095 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER, RISC |
Base Number Matches | 1 |
STM32L162VD-X微控制器中的内存保护单元(Memory Protection Unit, MPU)是一种安全特性,它可以定义不同内存区域的属性,例如读写访问权限。MPU的应用场景包括但不限于:
系统安全性增强:通过限制对某些关键内存区域的访问,防止恶意软件或未授权的代码访问或修改这些区域。
多任务操作系统:在多任务环境中,MPU可以确保一个任务不能访问另一个任务的内存空间,从而避免任务间的干扰。
数据保护:对于存储敏感数据(如用户信息、加密密钥等)的区域,MPU可以提供额外的保护层,确保数据不被未授权访问。
设备固件升级:在固件升级过程中,MPU可以确保只允许授权的代码被写入到固件存储区域。
内存访问权限管理:在需要对内存访问进行严格控制的场合,如某些安全相关的应用或需要遵守特定安全标准的系统,MPU可以定义哪些代码和数据可以被执行和访问。
调试和测试:在开发和测试阶段,MPU可以帮助开发者模拟不同权限级别的内存访问,以测试系统的健壮性和安全性。
特定应用的内存隔离:在一些需要将应用逻辑与系统服务严格分离的应用中,MPU可以创建隔离的内存区域,确保应用逻辑不会干扰系统服务的正常运行。
保护启动代码:在设备启动过程中,MPU可以确保启动代码(如引导加载程序)不会被覆盖或修改,从而保障设备能够安全启动。
MPU的这些应用场景有助于提高系统的安全性和可靠性,尤其适用于对安全性有较高要求的嵌入式系统。
STM32L162VDY7D | STM32L162VDY7 | STM32L162VDY7TR | STM32L162VDY7DTR | |
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描述 | RISC MICROCONTROLLER | RISC MICROCONTROLLER | RISC MICROCONTROLLER | RISC MICROCONTROLLER |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
包装说明 | WLCSP-104 | WLCSP-104 | VFBGA, BGA104,9X12,16 | WLCSP-104 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
具有ADC | YES | YES | YES | YES |
位大小 | 32 | 32 | 32 | 32 |
边界扫描 | YES | YES | YES | YES |
CPU系列 | CORTEX-M3 | CORTEX-M3 | CORTEX-M3 | CORTEX-M3 |
最大时钟频率 | 24 MHz | 24 MHz | 24 MHz | 24 MHz |
DAC 通道 | YES | YES | YES | YES |
DMA 通道 | YES | YES | YES | YES |
格式 | FIXED POINT | FIXED POINT | FIXED POINT | FIXED POINT |
集成缓存 | NO | NO | NO | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B104 | R-PBGA-B104 | R-PBGA-B104 | R-PBGA-B104 |
长度 | 5.094 mm | 5.094 mm | 5.094 mm | 5.094 mm |
低功率模式 | YES | YES | YES | YES |
DMA 通道数量 | 12 | 12 | 12 | 12 |
外部中断装置数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
I/O 线路数量 | 83 | 83 | 83 | 83 |
端子数量 | 104 | 104 | 104 | 104 |
片上数据RAM宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
片上程序ROM宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 105 °C | 105 °C | 105 °C | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
PWM 通道 | YES | YES | YES | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
封装等效代码 | BGA104,9X12,16 | BGA104,9X12,16 | BGA104,9X12,16 | BGA104,9X12,16 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
RAM(字节) | 81920 | 81920 | 81920 | 81920 |
RAM(字数) | 40960 | 40960 | 40960 | 40960 |
ROM(单词) | 393216 | 393216 | 393216 | 393216 |
ROM可编程性 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
座面最大高度 | 0.585 mm | 0.585 mm | 0.585 mm | 0.585 mm |
速度 | 32 MHz | 32 MHz | 32 MHz | 32 MHz |
最大压摆率 | 12.3 mA | 12.3 mA | 12.3 mA | 12.3 mA |
最大供电电压 | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 | 1.65 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.65 V |
标称供电电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.4 mm | 0.4 mm | 0.4 mm | 0.4 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 4.095 mm | 4.095 mm | 4.095 mm | 4.095 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER, RISC | MICROCONTROLLER, RISC | MICROCONTROLLER, RISC | MICROCONTROLLER, RISC |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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