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IXGH25N80A

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 800V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小645KB,共7页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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IXGH25N80A概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 800V V(BR)CES, N-Channel,

IXGH25N80A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Littelfuse
包装说明,
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压800 V
最大降落时间(tf)1000 ns
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压30 V
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
最大上升时间(tr)200 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1
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