R1RP0416DGE-2PR,R1RP0416DGE-2PR pdf中文资料,R1RP0416DGE-2PR引脚图,R1RP0416DGE-2PR电路-Datasheet-电子工程世界

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R1RP0416DGE-2PR: 产品描述4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit); 产品类别存储存储; 文件大小93KB，共15页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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R1RP0416DGE-2PR概述

4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)

R1RP0416DGE-2PR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ44,.44
针数	44
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
Samacsys Descripti	Renesas Electronics SRAM, R1RP0416DGE-2PR- 4Mbit, 5
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J44
JESD-609代码	e6/e2
长度	28.57 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ44,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH/TIN COPPER
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

R1RP0416DGE-2PR相似产品对比

	R1RP0416DGE-2PR	R1RP0416D	R1RP0416DGE-2LR	R1RP0416DSB-2PR	R1RP0416DSB-2LR
描述	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ	-	SOJ	TSOP2	TSOP2
包装说明	SOJ, SOJ44,.44	-	SOJ, SOJ44,.44	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44	-	44	44	44
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	-	12 ns	12 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J44	-	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	28.57 mm	-	28.57 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	-	16	16	16
湿度敏感等级	2	-	2	2	2
功能数量	1	-	1	1	1
端子数量	44	-	44	44	44
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX16	-	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	-	SOJ	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	SOJ44,.44	-	SOJ44,.44	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	-	245	260	260
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	-	3.55 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	4.5 V	-	2 V	4.5 V	2 V
最大压摆率	0.16 mA	-	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	-	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20	20
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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