Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IS42VM16200C-75BLE | IS42VM16200C-6BLE | |
|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | Synchronous DRAM, 2MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, | TFBGA, |
| 针数 | 54 | 54 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns | 5.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e1 | e1 |
| 长度 | 8 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 54 | 54 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C |
| 组织 | 2MX16 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm |
stm32/stm8
模拟与混合信号
DSP 与 ARM 处理器
ADI 工业技术
无线连接
电源技术
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
