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ES1GWG_R1_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SMA(W), 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小107KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ES1GWG_R1_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SMA(W), 2 PIN

ES1GWG_R1_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ES1AWG SERIES
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
1.0 Ampere
CURRENT
VOLTAGE
50 to 600 Volts
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e ak Revers e Volta ge
Ma xi mum RMS Volta ge
Ma xi mum D C B loc ki ng Vo ltag e
Ma xi mum A verag e F o rward C urre nt
P e ak F o rward S urge C urre nt : 8 .3 ms si ng le ha lf s i ne-wa ve
supe ri mpo se d o n rated loa d (JE D E C method )
Ma xi mum F orwa rd Vo lta ge at 1A
Ma xi mum D C Re vers e C urre nt at Ra te d D C B lo ck i ng
Vo lta ge
Typi ca l J uncti on C ap a ci ta nc e
Typi ca l The rma l Re si s ta nc e
Ma xi mum Re ve rs e Rec overy Ti me
(No te 1)
(No te 2)
(No te 3)
S YMB OL E S 1 AWG E S 1 B WG E S 1C WG E S 1 D WG E S 1 E WG E S 1 GWG E S 1J WG UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJ
L
t
rr
T
J
,T
S TG
0 .95
1
18
15 0
22
35
-55 to +1 50
O
50
35
50
1 00
70
1 00
1 50
1 05
1 50
20 0
14 0
20 0
1
30
30 0
21 0
30 0
40 0
2 80
40 0
60 0
42 0
60 0
V
V
V
A
A
1.25
1.7
V
μA
pF
C / W
ns
O
Op erati ng Junc ti on and S to ra ge Te mp era ture Ra ng e
C
NOTES:
1.Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
2.Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, with 76.2 x 114.3mm copper pad area.
3.Reverse Recovery Tset Conditions: I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A.
June 27,2012-REV.00
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