AN28F010-120,AN28F010-120 pdf中文资料,AN28F010-120引脚图,AN28F010-120电路-Datasheet-电子工程世界

AN28F010-120: 产品描述Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小299KB，共23页; 制造商Intel(英特尔); 官网地址http://www.intel.com/; 标准

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AN28F010-120概述

Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32

AN28F010-120规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	QFJ
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

AN28F010-120相似产品对比

	AN28F010-120	AP28F010-120	AP28F010-150	AN28F010-150
描述	Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32	Flash, 128KX8, 120ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32	Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32	Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFJ	DIP	DIP	QFJ
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6	DIP, DIP32,.6	0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	150 ns	150 ns
命令用户界面	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm	41.91 mm	41.91 mm	13.97 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	DIP32,.6	DIP32,.6	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm	4.83 mm	4.83 mm	3.56 mm
最大待机电流	0.0003 A	0.0003 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
切换位	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm	11.43 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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