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BZT52B33RH

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小164KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZT52B33RH概述

Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52B33RH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差2%
工作测试电流2 mA
Base Number Matches1

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BZT52B2V4-BZT52B75
500mW, 2% Tolerance SMD Zener Diode
Small Signal Diode
SOD-123F
B
Features
Wide zener voltage range selection : 2.4V to 75V
V
Z
Tolerance Selection of ±2%
Moisture sensitivity level 1
Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
Pb free version and RoHS compliant
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
C
A
D
E
F
Unit (mm)
Min
1.5
3.3
0.5
2.5
0.8
0.05
Max
1.7
3.7
0.7
2.7
1.0
0.2
Unit (inch)
Min
0.130
0.020
Max
0.146
0.028
0.059 0.067
Mechanical Data
Case : Flat lead SOD-123 small outline plastic package
Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
High temperature soldering guaranteed: 260
°C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 8.85±0.5 mg
Dimensions
A
B
C
D
E
F
0.098 0.106
0.031 0.039
0.002 0.008
Ordering Information
Part No.
BZT52Bxx RH
Package
SOD-123F
Packing
3Kpcs / 7" Reel
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Power Dissipation
Forward Voltage
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Junction and Storage Temperature Range
I
F
=10mA
(Note 1)
Symbol
P
D
V
F
RθJA
T
J
, T
STG
Value
500
1
350
-65 to + 150
Units
mW
V
°C/W
°C
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Zener I vs. V Characteristics
Curren
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
I
ZT
V
F
Voltage
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
Forward Region
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
I
ZM
BreakdownRegion
Leakage Region
I
ZM
V
ZM
Version :
D10

 
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