AS7C3256K18P-3.5TQC,AS7C3256K18P-3.5TQC pdf中文资料,AS7C3256K18P-3.5TQC引脚图,AS7C3256K18P-3.5TQC电路-Datasheet-电子工程世界

AS7C3256K18P-3.5TQC: 产品描述Standard SRAM, 256KX18, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小427KB，共9页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档详细参数全文预览

AS7C3256K18P-3.5TQC概述

Standard SRAM, 256KX18, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER DOWN
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190