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IS61C61-30N

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDIP28
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文件大小285KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61C61-30N概述

Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDIP28

IS61C61-30N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间30 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.3 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.003 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.36 mm
Base Number Matches1

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