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5962R8964401VPA

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5962R8964401VPA放大器基础信息:

5962R8964401VPA是来自Analog Devices Inc的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

5962R8964401VPA放大器核心信息:

5962R8964401VPA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:2.5 µA他的最大平均偏置电流为0.45 µA

5962R8964401VPA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962R8964401VPA的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R8964401VPA的输入失调电压为300 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962R8964401VPA的相关尺寸:

5962R8964401VPA拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

5962R8964401VPA放大器其他信息:

5962R8964401VPA采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R8964401VPA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其不属于微功率放大器。5962R8964401VPA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。

5962R8964401VPA的封装代码是:DIP。5962R8964401VPA封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962R8964401VPA封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小115KB,共12页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
器件替换:5962R8964401VPA替换放大器
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5962R8964401VPA在线购买

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5962R8964401VPA概述

5962R8964401VPA放大器基础信息:

5962R8964401VPA是来自Analog Devices Inc的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

5962R8964401VPA放大器核心信息:

5962R8964401VPA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:2.5 µA他的最大平均偏置电流为0.45 µA

5962R8964401VPA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962R8964401VPA的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962R8964401VPA的输入失调电压为300 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

5962R8964401VPA的相关尺寸:

5962R8964401VPA拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

5962R8964401VPA放大器其他信息:

5962R8964401VPA采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R8964401VPA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其不属于微功率放大器。5962R8964401VPA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。

5962R8964401VPA的封装代码是:DIP。5962R8964401VPA封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962R8964401VPA封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

5962R8964401VPA规格参数

参数名称属性值
Brand NameAnalog Devices Inc
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构CURRENT-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.45 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)2.5 µA
标称共模抑制比35 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压300 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T8
JESD-609代码e0
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
电源+-15 V
可编程功率NO
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
宽带NO
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
C
D
DESCRIPTION
Add device classes Q and V requirements and radiation hardened
requirements. Add case outline 2. -ro
Drawing updated to reflect current requirements. -rrp
Update drawing to current requirements of MIL-PRF-38535. -rrp
Add device type 02. Delete radiation exposure circuit. - ro
DATE (YR-MO-DA)
00-07-17
05-01-20
11-07-19
12-05-31
APPROVED
R. MONNIN
R. MONNIN
C. SAFFLE
C. SAFFLE
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
REV
SHEET
PREPARED BY
RICK C. OFFICER
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10
D
11
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
CHARLES E. BESORE
APPROVED BY
MICHAEL A. FRYE
DRAWING APPROVAL DATE
93-05-24
DLA LAND AND MARITIME
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil
MICROCIRCUIT, LINEAR, OPERATIONAL
AMPLIFIER, MONOLITHIC SILICON
AMSC N/A
REVISION LEVEL
D
SIZE
A
CAGE CODE
67268
SHEET
1 OF 11
5962-89644
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E330-12

5962R8964401VPA相似产品对比

5962R8964401VPA 5962-8964401VPA 5962L8964402VPA
描述 Aerospace 60 MHz, 2000V/µS Op Amp IC OP-AMP, 300 uV OFFSET-MAX, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier Aerospace 60 MHz, 2000V/µS Op Amp
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code unknown not_compliant compliant
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大输入失调电压 300 µV 300 µV 1000 µV
JESD-30 代码 R-CDIP-T8 R-CDIP-T8 R-GDIP-T8
负供电电压上限 -18 V -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
供电电压上限 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
Brand Name Analog Devices Inc - Analog Devices Inc
零件包装代码 DIP DIP -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
架构 CURRENT-FEEDBACK CURRENT-FEEDBACK -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.45 µA 0.45 µA -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 2.5 µA 0.45 µA -
标称共模抑制比 35 dB 35 dB -
频率补偿 YES YES -
JESD-609代码 e0 e0 -
低-失调 NO YES -
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 +-15 V +-15 V -
认证状态 Qualified Not Qualified -
技术 BIPOLAR BIPOLAR -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
总剂量 100k Rad(Si) V - 50k Rad(Si) V
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