HGTD8P50G1S9A概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, P-Channel, TO-252AA

HGTD8P50G1S9A规格参数

	HGTD8P50G1S9A
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, P-Channel, TO-252AA
厂商名称	Harris
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	500 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	2500 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	66 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	680 ns
标称断开时间 (toff)	480 ns
标称接通时间 (ton)	45 ns
VCEsat-Max	3.7 V
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ