电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SC4745

产品描述Charcater Display Horizontal Deflection Output
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小237KB,共4页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

2SC4745概述

Charcater Display Horizontal Deflection Output

2SC4745规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3PFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)7
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
2SC4745
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
Feature
• High speed switching
t
f
= 0.2 µs typ
• High breakdown voltage
V
CBO
= 1500 V
• Isolated package; TO-3PFM
TO-3PFM
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector surge current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol Rating Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
C(peak)
1500
800
6
6
7
V
V
V
A
A
A
W
°C
————————————————————–
————————————————————–
————————————————————–
————————————————————–
————————————————————–
————————————————————–
i
C(surge)
16
P
C*1
Tj
Tstg
50
150
1 2
3
1. Base
2. Collector
3. Emitter
————————————————————–
————————————————————–
————————————————————–
–55 to °C
+150
————————————————————–
Note: 1. Value at T
C
= 25°C.
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Collector to emitter breakdown voltage
Emitter to base breakdown voltage
Collector cutoff current
DC current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Symbol
Min
Typ
Max
500
30
5
1.5
V
V
Unit
V
V
µA
Test condition
I
C
= 10 mA, R
BE
=
———————————————————————————————————————————
V
(BR)CEO
800
V
(BR)EBO
6
I
CES
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
7
———————————————————————————————————————————
I
E
= 10 mA, I
C
= 0
V
CE
= 1500 V, R
BE
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 A
I
C
= 5 A, I
B
= 1 A
I
C
= 5 A, I
B
= 1 A
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2719  1752  2411  2732  404  47  19  55  37  18 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved