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2SC3847

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-3PF, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小330KB,共5页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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2SC3847概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-3PF, FULL PACK-3

2SC3847规格参数

参数名称属性值
Objectid1414420901
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
其他特性RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值85 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz
最大关闭时间(toff)3800 ns
VCEsat-Max1.5 V
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