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2SC3839K

产品描述Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小187KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC3839K概述

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors

2SC3839K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量0.8 pF
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)27
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2000 MHz
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

2SC3839K相似产品对比

2SC3839K 2SC4084
描述 Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.8 pF 0.8 pF
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 27 27
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 2000 MHz 2000 MHz
Base Number Matches 1 1

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