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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28C16AGI-12
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CAT28C16AGI-12

产品描述EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小124KB，共10页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
标准
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CAT28C16AGI-12概述

EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

CAT28C16AGI-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys Description16 kb CMOS Parallel EEPROM
最长访问时间120 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e3
长度13.97 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位NO
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

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CAT28C16A
16 kb CMOS Parallel
EEPROM
Description
The CAT28C16A is a fast, low power, 5V−only CMOS Parallel
EEPROM organized as 2K x 8−bits. It requires a simple interface for
in−system programming. On−chip address and data latches,
self−timed write cycle with auto−clear and V
CC
power up/down write
protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA
Polling signals the start and end of the self−timed write cycle.
Additionally, the CAT28C16A features hardware write protection.
The CAT28C16A is manufactured using ON Semiconductor’s
advanced CMOS floating gate technology. It is designed to endure
100,000 program/erase cycles and has a data retention of 100 years.
The device is available in JEDEC approved 24−pin DIP and SOIC or
32−pin PLCC packages.
Features
http://onsemi.com
SOIC−24
J, K, W, X SUFFIX
CASE 751BK
•
Fast Read Access Times: 90 ns, 120 ns, 200 ns
•
Low Power CMOS Dissipation:
•
•
•
•
•
•
•
•
– Active: 25 mA Max.
– Standby: 100
mA
Max.
Simple Write Operation:
– On−chip Address and Data Latches
– Self−timed Write Cycle with Auto−clear
Fast Write Cycle Time: 10 ms Max
End of Write Detection: DATA Polling
Hardware Write Protection
CMOS and TTL Compatible I/O
100,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges
PIN CONFIGURATION
A
7
NC
NC
NC
V
CC
WE
NC
PDIP−24
L SUFFIX
CASE 646AD
PLCC−32
N, G SUFFIX
CASE 776AK
PIN FUNCTION
Pin Name
A
0
−A
10
I/O
0
−I/O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
Function
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
5 V Supply
Ground
No Connect
DIP Package (L)
SOIC Package (J, K, W, X)
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
0
I/O
1
I/O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I/O
0
PLCC Package (N, G)
ORDERING INFORMATION
A
8
A
9
NC
NC
OE
A
10
CE
I/O
7
I/O
6
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 10 of this data sheet.
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
TOP VIEW
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O
1
I/O
2
V
SS
NC
I/O
3
I/O
4
I/O
5
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
October, 2009
−
Rev. 6
1
Publication Order Number:
CAT28C16A/D

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描述 EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP24, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-24 EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP24, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-24 EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32 eeprom 16k-bit cmos para eeprom EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO24, LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-24 EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-24 EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO24, LEAD AND HALOGEN FREE, EIAJ, SOIC-24
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 QFJ DIP DIP QFJ SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 SOP, SOP24,.45 SOP, SOP24,.4 SOP, SOP24,.4 SOP, SOP24,.45
针数 32 24 24 32 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 90 ns 120 ns 90 ns 120 ns 90 ns 120 ns 90 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PQCC-J32 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PQCC-J32 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 13.97 mm 31.875 mm 31.875 mm 13.97 mm 15.4 mm 15.4 mm 15.4 mm 15.4 mm
内存密度 16384 bit 16384 bi 16384 bi 16384 bit 16384 bi 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 24 24 32 24 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ DIP DIP QCCJ SOP SOP SOP SOP
封装等效代码 LDCC32,.5X.6 DIP24,.6 DIP24,.6 LDCC32,.5X.6 SOP24,.45 SOP24,.4 SOP24,.4 SOP24,.45
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.55 mm 5.08 mm 5.08 mm 3.55 mm 2.65 mm 2.65 mm 2.65 mm 2.65 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN TIN Tin (Sn) MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 40 40 40
切换位 NO NO NO NO NO NO NO NO
宽度 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 11.43 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
厂商名称 Catalyst - - Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst
湿度敏感等级 3 - - 3 1 1 1 1
Base Number Matches 1 1 1 1 - 1 1 1

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  5. PLTR5-3000-PR1
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