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2SC3399

产品描述PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC3399概述

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SC3399规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2SC3399相似产品对比

2SC3399 2SA1345
描述 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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