HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 4-BIT UP DECADE COUNTER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | DIVIDE BY 2 AND DIVIDE BY 5 FUNCTIONS |
| 计数方向 | UP |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 19.05 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 负载/预设输入 | NO |
| 逻辑集成电路类型 | DECADE COUNTER |
| 最大频率@ Nom-Sup | 18000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 41 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 触发器类型 | NEGATIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最小 fmax | 18 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9574901VEC | HCTS390DMSH | 5962R9574901VXC | HCTS390KMSH | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 4-BIT UP DECADE COUNTER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | IC,COUNTER,UP,BI-QUINARY,CMOS, RAD HARD,DIP,16PIN,CERAMIC | HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 3-BIT UP DECADE COUNTER, CDFP16 | IC,COUNTER,UP,BI-QUINARY,CMOS, RAD HARD,FP,16PIN,CERAMIC |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown | not_compliant |
| 计数方向 | UP | UP | UP | UP |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-CDFP-F16 | R-XDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e4 | e0 | e4 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 负载/预设输入 | NO | NO | NO | NO |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 功能数量 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DFP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | FL16,.3 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | 38535V;38534K;883S | MIL-PRF-38535 Class V | 38535V;38534K;883S |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | Tin/Lead (Sn/Pb) | GOLD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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