256K X 18 OTHER FIFO, 5 ns, PBGA100
256K × 18 其他先进先出, 5 ns, PBGA100
| 参数名称 | 属性值 |
| 最大时钟频率 | 133 MHz |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 额定供电电压 | 3.3 V |
| 最小供电/工作电压 | 3.15 V |
| 最大供电/工作电压 | 3.45 V |
| 加工封装描述 | 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, BGA-100 |
| each_compli | Yes |
| 状态 | Active |
| sub_category | FIFOs |
| ccess_time_max | 5 ns |
| 周期 | 7.5 ns |
| jesd_30_code | S-PBGA-B100 |
| jesd_609_code | e0 |
| 存储密度 | 4.72E6 bi |
| 内存IC类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 |
| 备用存储器宽度 | 9 |
| moisture_sensitivity_level | 3 |
| 位数 | 262144 words |
| 位数 | 256K |
| 操作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 256KX18 |
| 输出使能 | YES |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| ckage_code | LBGA |
| ckage_equivalence_code | BGA100,10X10,40 |
| 包装形状 | SQUARE |
| 包装尺寸 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | 225 |
| wer_supplies__v_ | 3.3 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| seated_height_max | 1.5 mm |
| standby_current_max | 0.0150 Am |
| 最大供电电压 | 0.0350 Am |
| 表面贴装 | YES |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子涂层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子间距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 20 |
| length | 11 mm |
| width | 11 mm |
| dditional_feature | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE |
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