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2SC3309

产品描述SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3309概述

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

2SC3309规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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