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IDT72V2103L6PF

产品描述256K X 18 OTHER FIFO, 5 ns, PBGA100
产品类别存储   
文件大小435KB,共46页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT72V2103L6PF概述

256K X 18 OTHER FIFO, 5 ns, PBGA100

256K × 18 其他先进先出, 5 ns, PBGA100

IDT72V2103L6PF规格参数

参数名称属性值
最大时钟频率133 MHz
功能数量1
端子数量100
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3.15 V
最大供电/工作电压3.45 V
加工封装描述11 X 11 MM, 1 MM PITCH, BGA-100
each_compliYes
状态Active
sub_categoryFIFOs
ccess_time_max5 ns
周期7.5 ns
jesd_30_codeS-PBGA-B100
jesd_609_codee0
存储密度4.72E6 bi
内存IC类型OTHER FIFO
内存宽度18
备用存储器宽度9
moisture_sensitivity_level3
位数262144 words
位数256K
操作模式SYNCHRONOUS
组织256KX18
输出使能YES
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLBGA
ckage_equivalence_codeBGA100,10X10,40
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID ARRAY, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_225
wer_supplies__v_3.3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.5 mm
standby_current_max0.0150 Am
最大供电电压0.0350 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层TIN LEAD
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子位置BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_20
length11 mm
width11 mm
dditional_featureALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE
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