SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 表面贴装 | NO |
| 标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SC3198L | 2SC3198 | |
|---|---|---|
| 描述 | SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS) | SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS) |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.15 A | 0.15 A |
| 配置 | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 | 70 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W | 0.625 W |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 标称过渡频率 (fT) | 80 MHz | 80 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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