电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SC3198L

产品描述SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC3198L概述

SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)

2SC3198L规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.15 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)70
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

2SC3198L相似产品对比

2SC3198L 2SC3198
描述 SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS) SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.625 W
表面贴装 NO NO
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz
Base Number Matches 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 358  1737  2641  132  524  50  2  43  25  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved