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1N5624GP-HE3

产品描述DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N5624GP-HE3概述

DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

1N5624GP-HE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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1N5624GP thru 1N5627GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Rectifier
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
j
max.
3.0 A
200 V to 800 V
125 A
5.0 µA
0.95 V
175 °C
®
ted*
aten
P
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602, and
brazed-lead assembly by
Patent No. 3,930,306
DO-201AD
Features
• Superectifier structure for High Reliability
application
• Cavity-free glass-passivated junction
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
DO-201AD, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity:
Color band denotes cathode end
Typical Applications
For use in general purpose rectification of power sup-
plies, inverters, converters and freewheeling diodes
application
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
* Maximum repetitive peak reverse voltage
* Maximum DC blocking voltage
* Maximum average forward rectified current
0.375” (9.5 mm) lead length at T
A
= 70 °C
* Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Maximum full load reverse current, full cycle average
0.375” (9.5 mm) lead length at T
A
= 70 °C
* Operating junction and storage temperature range
Symbol
V
RRM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
R(AV)
T
J
, T
STG
1N5624GP
200
200
1N5625GP
400
400
3.0
125
200
- 65 to + 175
1N5626GP
600
600
1N5627GP
800
800
Unit
V
V
A
A
µA
°C
Document Number 88524
14-Oct-05
www.vishay.com
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