HA4-5144/883放大器基础信息：
HA4-5144/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为QCCN, LCC20,.35SQ
HA4-5144/883放大器核心信息：
HA4-5144/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.1 µA他的最大平均偏置电流为0.1 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，HA4-5144/883的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的HA4-5144/883的最大压摆率为0.6 mA，而最小压摆率为0.8 V/us。其最小电压增益为20000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，HA4-5144/883增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为400 kHz。
HA4-5144/883的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。HA4-5144/883的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
HA4-5144/883的相关尺寸：
HA4-5144/883拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。
HA4-5144/883放大器其他信息：
HA4-5144/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HA4-5144/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其属于微功率放大器。
HA4-5144/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为：e0。HA4-5144/883的封装代码是：QCCN。HA4-5144/883封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。HA4-5144/883封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。
HA4-5144/883放大器基础信息：
HA4-5144/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为QCCN, LCC20,.35SQ
HA4-5144/883放大器核心信息：
HA4-5144/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.1 µA他的最大平均偏置电流为0.1 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，HA4-5144/883的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的HA4-5144/883的最大压摆率为0.6 mA，而最小压摆率为0.8 V/us。其最小电压增益为20000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，HA4-5144/883增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为400 kHz。
HA4-5144/883的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。HA4-5144/883的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
HA4-5144/883的相关尺寸：
HA4-5144/883拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。
HA4-5144/883放大器其他信息：
HA4-5144/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HA4-5144/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其属于微功率放大器。
HA4-5144/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为：e0。HA4-5144/883的封装代码是：QCCN。HA4-5144/883封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为SQUARE。HA4-5144/883封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.1 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.1 µA |
| 最小共模抑制比 | 77 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -17.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 0.8 V/us |
| 标称压摆率 | 1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.6 mA |
| 供电电压上限 | 17.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 400 kHz |
| 最小电压增益 | 20000 |
| Base Number Matches | 1 |
| HA4-5144/883 | HA1-5144/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIFET, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIFET, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.1 µA | 0.1 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.1 µA | 0.1 µA |
| 最小共模抑制比 | 77 dB | 77 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES |
| 负供电电压上限 | -17.5 V | -17.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 20 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP14,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5/+-15 V | 5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 0.8 V/us | 0.8 V/us |
| 标称压摆率 | 1 V/us | 1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.6 mA | 0.6 mA |
| 供电电压上限 | 17.5 V | 17.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | BIFET | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 400 kHz | 400 kHz |
| 最小电压增益 | 20000 | 20000 |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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