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2SC1226A

产品描述Silicon NPN Epitaxial Planar Type
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共1页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SC1226A概述

Silicon NPN Epitaxial Planar Type

2SC1226A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-202
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SC1226A相似产品对比

2SC1226A 2SC1226
描述 Silicon NPN Epitaxial Planar Type Silicon NPN Epitaxial Planar Type
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 40 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JEDEC-95代码 TO-202 TO-202
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 10 W 10 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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