SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 20 ns |
其他特性 | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 68 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.04 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.64 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
Base Number Matches | 1 |
EDI8LM32513V20AI | EDI8LM32513V15AM | EDI8LM32513V20AC | EDI8LM32513V15AC | EDI8LM32513V20AM | EDI8LM32513V12AC | EDI8LM32513V15AI | |
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描述 | SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PQCC68, | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 20 ns | 15 ns | 20 ns | 15 ns | 20 ns | 12 ns | 15 ns |
其他特性 | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 | 68 | 68 | 68 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 70 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -55 °C | - | - | -55 °C | - | -40 °C |
组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A | 0.04 A |
最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.64 mA | 0.72 mA | 0.64 mA | 0.72 mA | 0.64 mA | 0.72 mA | 0.72 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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