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EDI8LM32513V20AI

产品描述SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,
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文件大小126KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8LM32513V20AI概述

SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,

EDI8LM32513V20AI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端子数量68
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

EDI8LM32513V20AI相似产品对比

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描述 SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PQCC68, SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PQCC68,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 15 ns 20 ns 15 ns 20 ns 12 ns 15 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68 68 68 68
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C - - -55 °C - -40 °C
组织 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装等效代码 LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.64 mA 0.72 mA 0.64 mA 0.72 mA 0.64 mA 0.72 mA 0.72 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
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