电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

C-DWN35-12

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共2页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

C-DWN35-12概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1

C-DWN35-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codecompliant
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
最大非重复峰值正向电流850 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最大输出电流53 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 248  528  778  796  953 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved