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BD433

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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BD433概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

BD433规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压22 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)36 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
Base Number Matches1
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