DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA, |
针数 | 92 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.6 ns |
其他特性 | AUTO REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B92 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 21.7 mm |
内存密度 | 1073741824 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 92 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 95 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 11 mm |
Base Number Matches | 1 |
K4T1G164QM-ZCCC0 | K4T1G084QM-ZCCC0 | K4T1G084QM-ZCD50 | K4T1G164QM-ZCD50 | |
---|---|---|---|---|
描述 | DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92 | DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA68, LEAD FREE, FBGA-68 | DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, LEAD FREE, FBGA-68 | DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | BGA, | BGA, | BGA, | BGA, |
针数 | 92 | 68 | 68 | 92 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.6 ns | 0.6 ns | 0.5 ns | 0.5 ns |
其他特性 | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH | AUTO REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B92 | R-PBGA-B68 | R-PBGA-B68 | R-PBGA-B92 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 | e1 |
长度 | 21.7 mm | 21.7 mm | 21.7 mm | 21.7 mm |
内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 | 8 | 8 | 16 |
湿度敏感等级 | 2 | 2 | 2 | 2 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 92 | 68 | 68 | 92 |
字数 | 67108864 words | 134217728 words | 134217728 words | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 | 128000000 | 128000000 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 95 °C | 95 °C | 95 °C | 95 °C |
组织 | 64MX16 | 128MX8 | 128MX8 | 64MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | 40 |
宽度 | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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