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K4T1G164QM-ZCCC0

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92
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文件大小457KB,共29页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4T1G164QM-ZCCC0概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92

K4T1G164QM-ZCCC0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数92
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B92
JESD-609代码e1
长度21.7 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级2
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度11 mm
Base Number Matches1

K4T1G164QM-ZCCC0相似产品对比

K4T1G164QM-ZCCC0 K4T1G084QM-ZCCC0 K4T1G084QM-ZCD50 K4T1G164QM-ZCD50
描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA68, LEAD FREE, FBGA-68 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, LEAD FREE, FBGA-68 DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, FBGA-92
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 92 68 68 92
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.6 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B92 R-PBGA-B68 R-PBGA-B68 R-PBGA-B92
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1
长度 21.7 mm 21.7 mm 21.7 mm 21.7 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 8 8 16
湿度敏感等级 2 2 2 2
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 92 68 68 92
字数 67108864 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words
字数代码 64000000 128000000 128000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 64MX16 128MX8 128MX8 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
Base Number Matches 1 1 1 -
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