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IDT71V3559SA80BGI: 产品描述256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165; 产品类别存储; 文件大小512KB，共28页; 制造商IDT(艾迪悌); 官网地址http://www.idt.com/

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IDT71V3559SA80BGI概述

256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165

256K × 18 ZBT 静态随机存储器, 8 ns, PBGA165

参数名称	属性值
最大时钟频率	95 MHz
功能数量	1
端子数量	165
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3.3 V
最小供电/工作电压	3.14 V
最大供电/工作电压	3.46 V
加工封装描述	13 X 15 MM, FBGA-165
each_compli	Yes
状态	Active
sub_category	SRAMs
ccess_time_max	8 ns
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-PBGA-B165
jesd_609_code	e0
存储密度	4.72E6 bi
内存IC类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
moisture_sensitivity_level	3
位数	262144 words
位数	256K
操作模式	SYNCHRONOUS
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TBGA
ckage_equivalence_code	BGA165,11X15,40
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	225
wer_supplies__v_	3.3
qualification_status	COMMERCIAL
seated_height_max	1.2 mm
standby_current_max	0.0450 Am
standby_voltage_mi	3.14 V
最大供电电压	0.2600 Am
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子间距	1 mm
端子位置	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	20
length	15 mm
width	13 mm
dditional_feature	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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