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IDT71V3559SA80BG

产品描述256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165
产品类别存储   
文件大小512KB,共28页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT71V3559SA80BG概述

256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165

256K × 18 ZBT 静态随机存储器, 8 ns, PBGA165

IDT71V3559SA80BG规格参数

参数名称属性值
最大时钟频率95 MHz
功能数量1
端子数量165
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3.14 V
最大供电/工作电压3.46 V
加工封装描述13 X 15 MM, FBGA-165
each_compliYes
状态Active
sub_categorySRAMs
ccess_time_max8 ns
i_o_typeCOMMON
jesd_30_codeR-PBGA-B165
jesd_609_codee0
存储密度4.72E6 bi
内存IC类型ZBT SRAM
内存宽度18
moisture_sensitivity_level3
位数262144 words
位数256K
操作模式SYNCHRONOUS
组织256KX18
输出特性3-STATE
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeTBGA
ckage_equivalence_codeBGA165,11X15,40
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY, THIN PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_225
wer_supplies__v_3.3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.2 mm
standby_current_max0.0450 Am
standby_voltage_mi3.14 V
最大供电电压0.2600 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层TIN LEAD
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子位置BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_20
length15 mm
width13 mm
dditional_featureFLOW-THROUGH ARCHITECTURE
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