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IDT71V3556SA200BQG

产品描述128K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119
产品类别存储   
文件大小502KB,共25页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT71V3556SA200BQG概述

128K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119

128K × 36 ZBT 静态随机存储器, 4.2 ns, PBGA119

IDT71V3556SA200BQG规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量119
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间4.2 ns
加工封装描述14 × 22 MM, ROHS COMPLIANT, 塑料, MS-028AA, BGA-119
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸GRID 阵列
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1.27 mm
端子涂层锡 银 铜
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度36
组织128K × 36
存储密度4.72E6 deg
操作模式同步
位数131072 words
位数128K
内存IC类型ZBT 静态随机存储器
串行并行并行

 
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