8K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28
8K × 8 标准存储器, 35 ns, CDIP28
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
最大工作温度 | 125 Cel |
最小工作温度 | -55 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V |
最大存取时间 | 35 ns |
加工封装描述 | 0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子间距 | 2.54 mm |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED |
温度等级 | MILITARY |
内存宽度 | 8 |
组织 | 8K × 8 |
存储密度 | 65536 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 8192 words |
位数 | 8K |
内存IC类型 | 标准存储器 |
串行并行 | 并行 |
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