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2SK867A

产品描述Silicon N-channel Power F-MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共1页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SK867A概述

Silicon N-channel Power F-MOS FET

2SK867A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

2SK867A相似产品对比

2SK867A 2SK867
描述 Silicon N-channel Power F-MOS FET Silicon N-channel Power F-MOS FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 2.5 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1

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