Silicon N-channel Power F-MOS FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
2SK867A | 2SK867 | |
---|---|---|
描述 | Silicon N-channel Power F-MOS FET | Silicon N-channel Power F-MOS FET |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A | 15 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | 2.5 W |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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