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2SK758

产品描述Silicon N-channel Power F-MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SK758概述

Silicon N-channel Power F-MOS FET

2SK758规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220F
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

2SK758相似产品对比

2SK758 2SK759
描述 Silicon N-channel Power F-MOS FET Silicon N-channel Power F-MOS FET
Reach Compliance Code unknow unknow
配置 SINGLE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A 8 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 NO NO
Base Number Matches 1 1
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