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IDT7140LA35C

产品描述1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 100 ns, PQCC52
产品类别存储   
文件大小224KB,共14页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT7140LA35C概述

1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 100 ns, PQCC52

1K × 8 双端口静态随机存储器, 100 ns, PQCC52

IDT7140LA35C规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量52
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-55 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间100 ns
加工封装描述塑料, LCC-52
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸芯片 CARRIER
表面贴装Yes
端子形式J BEND
端子间距1.27 mm
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级MILITARY
内存宽度8
组织1K × 8
存储密度8192 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数1024 words
位数1K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

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