NAND Gate, HSC Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CQCC20
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY |
系列 | HSC |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
功能数量 | 3 |
输入次数 | 3 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
传播延迟(tpd) | 20 ns |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | QUAD |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved