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IDT7132LA

产品描述2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48
产品类别存储   
文件大小136KB,共11页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT7132LA概述

2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48

2K × 8 双端口静态随机存储器, 35 ns, CDIP48

IDT7132LA规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间35 ns
加工封装描述0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZED, DIP-48
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸IN-LINE
端子形式THROUGH-HOLE
端子间距2.54 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置DUAL
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
温度等级COMMERCIAL
内存宽度8
组织2K X 8
存储密度16384 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数2048 words
位数2K
内存IC类型DUAL-PORT SRAM
串行并行PARALLEL

IDT7132LA相似产品对比

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描述 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CDIP48
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
最大工作温度 70 Cel 70 Cel 70 Cel 70 Cel
最小工作温度 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel
最大供电/工作电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电/工作电压 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
额定供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V
最大存取时间 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
加工封装描述 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZED, DIP-48 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZED, DIP-48 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZED, DIP-48 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZED, DIP-48
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子间距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
内存宽度 8 8 8 8
组织 2K X 8 2K X 8 2K X 8 2K X 8
存储密度 16384 deg 16384 deg 16384 deg 16384 deg
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
内存IC类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
串行并行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
位数 2K 2K 2K 2K
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