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3.0SMCJ8.0A

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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3.0SMCJ8.0A概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ8.0A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压10.23 V
最小击穿电压8.89 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
3.0SMCJ5.0 - 220A
Stand-off Voltage :
5.0 to 220V
Peak Pulse Power :
3000 W
FEATURES :
* 3000W peak pulse power capability with
a 10/1000µs waveform
* Excellent clamping capability
* Low inductance
* High temperature soldering : 250 °C/10
seconds at terminals.
* Built-in strain relief
* Pb / RoHS Free
SURFACE MOUNT TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
SMC (DO-214AB)
1.1
±
0.3
7.5
±
0.15
8.0
±
0.15
3.0
±
0.2
5.8
±
0.15
2.3
±
0.2
0.2
±
0.07
MECHANICAL DATA :
*
*
*
*
*
Case : SMC Molded plastic
Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
Lead : Lead Formed for Surface Mount
Mounting position : Any
Weight : 0.21 gram
Dimensions in millimeter
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bi-directional use C or CA Suffix
Electrical characteristics apply in both directions
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 µs waveform
Peak Pulse Current on 10/1000 s waveform
(1)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
(2)(3)
(1) (2)
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
STG
Value
3000
See Next Table
200
- 55 to + 150
Unit
W
A
A
°
C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 3 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1
(2) Mounted on 5.0 mm2 (0.013 thick) land areas.
(3) Measured on 8.3 ms , single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minutes maximum.
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Rev. 07 : October 6, 2008
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