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K4G323222M-PL70

产品描述Synchronous Graphics RAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, QFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共48页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4G323222M-PL70概述

Synchronous Graphics RAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, QFP-100

K4G323222M-PL70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明QFP, QFP100,.7X.9
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间5.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.7X.9
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

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