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IDT70V06S20G

产品描述16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
产品类别存储   
文件大小173KB,共22页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70V06S20G概述

16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64

16K × 8 双端口静态随机存储器, 25 ns, PQFP64

IDT70V06S20G规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量64
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压3 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间25 ns
加工封装描述TQFP-64
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.8000 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置QUAD
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织16K X 8
存储密度131072 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数16384 words
位数16K
内存IC类型DUAL-PORT SRAM
串行并行PARALLEL
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