电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IDT70V05S35G

产品描述8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP64
产品类别存储   
文件大小174KB,共22页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IDT70V05S35G概述

8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP64

8K × 8 双端口静态随机存储器, 20 ns, PQFP64

IDT70V05S35G规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量64
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压3 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间20 ns
加工封装描述14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.8000 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置QUAD
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织8K X 8
存储密度65536 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数8192 words
位数8K
内存IC类型DUAL-PORT SRAM
串行并行PARALLEL

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 643  696  784  805  1453 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved