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IDT70T633S8DD

产品描述512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小342KB,共27页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70T633S8DD概述

512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256

512K × 18 双端口静态随机存储器, 10 ns, PBGA256

IDT70T633S8DD规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压2.6 V
最小供电/工作电压2.4 V
额定供电电压2.5 V
最大存取时间10 ns
加工封装描述17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID ARRAY, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度18
组织512K X 18
存储密度9.44E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数524288 words
位数512K
内存IC类型DUAL-PORT SRAM
串行并行PARALLEL

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