512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256
512K × 18 双端口静态随机存储器, 10 ns, PBGA256
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 256 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 2.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.4 V |
额定供电电压 | 2.5 V |
最大存取时间 | 10 ns |
加工封装描述 | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | SQUARE |
包装尺寸 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | BALL |
端子间距 | 1 mm |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 18 |
组织 | 512K X 18 |
存储密度 | 9.44E6 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
内存IC类型 | DUAL-PORT SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
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