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IDT70T3539MS999BCI

产品描述512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小421KB,共26页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70T3539MS999BCI概述

512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256

512K × 36 双端口静态随机存储器, 15 ns, PBGA256

IDT70T3539MS999BCI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压2.6 V
最小供电/工作电压2.4 V
额定供电电压2.5 V
最大存取时间15 ns
加工封装描述BGA-256
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织512K × 36
存储密度1.89E7 deg
操作模式同步
位数524288 words
位数512K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

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Features:
HIGH-SPEED 2.5V
512K x 36
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
PRELIMINARY
IDT70T3539M
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Interrupt and Collision Detection Flags
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Includes JTAG functionality
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz
Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA)
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
R/W
R
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B B B B B
W W WWW
0 1 2 3 3
L L L L R
B B B
W WW
2 1 0
R R R
1
0
1/0
CE
0R
CE
1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d 1c 0c 1b 0b 1a 0a
0a 1a 0b 1b 0c 1c 0d 1d
0/1
,
FT/PIPE
R
FT/PIPE
L
0/1
a bc d
d cba
512K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
18L
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
A
18R
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
TDI
TCK
TMS
TRST
CE
0 L
CE1 L
R/
W
L
INTERRUPT
COLLISION
DE TE CTION
LOGIC
CE
0 R
CE1 R
R /
W
R
JTAG
TDO
COL
R
INT
R
COL
L
INT
L
ZZ
L
(1)
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
R
(1)
5678 drw 01
NOTE:
1. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/FTx and OPTx and
the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
APRIL 2004
DSC 5678/5
1
©2004 Integrated Device Technology, Inc.

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描述 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 256 256 256 256 256 256
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V
最小供电/工作电压 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V
额定供电电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
最大存取时间 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns
加工封装描述 BGA-256 BGA-256 BGA-256 BGA-256 BGA-256 BGA-256
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
包装尺寸 GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子间距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子涂层 锡 铅 锡 铅 锡 铅 锡 铅 锡 铅 锡 铅
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 36 36 36 36 36 36
组织 512K × 36 512K × 36 512K × 36 512K × 36 512K × 36 512K × 36
存储密度 1.89E7 deg 1.89E7 deg 1.89E7 deg 1.89E7 deg 1.89E7 deg 1.89E7 deg
操作模式 同步 同步 同步 同步 同步 同步
内存IC类型 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器
串行并行 并行 并行 并行 并行 并行 并行
位数 512K 512K 512K 512K 512K 512K
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