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IS61WV12816DBLL-10TLI-TR: 产品描述Application Specific SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小206KB，共21页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61WV12816DBLL-10TLI-TR概述

Application Specific SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44

IS61WV12816DBLL-10TLI-TR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3
长度	18.415 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	44
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00007 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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IS61WV12816DALL/DALS

IS61WV12816DBLL/DBLS

IS64WV12816DBLL/DBLS

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM

FEATURES

HIGH SPEED: (IS61/64WV12816DALL/DBLL)

• High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns

• Low Active Power: 135 mW (typical)

• Low Standby Power: 12

μW

(typical)

CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV12816DALS/DBLS)

• High-speed access time: 25, 35 ns

• Low Active Power: 55 mW (typical)

• Low Standby Power: 12

μW

(typical)

CMOS standby

• Single power supply

— V

1.65V to 2.2V (IS61WV12816DAxx)

— V

2.4V to 3.6V (IS61/64WV12816DBxx)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

JULY 2011

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx

are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as

131,072 words by 16 bits. It is fabricated using

ISSI

's high-

performance CMOS technology. This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques,

yields high-performance and low power consumption de-

vices.

When

is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs,

and

OE.

The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

The IS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are

packaged in the JEDEC standard 44-pin TSOP Type II and

48-pin Mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A16

DECODER

128K x 16

MEMORY ARRAY

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. D

06/21/2011

IS61WV12816DBLL-10TLI-TR相似产品对比

	IS61WV12816DBLL-10TLI-TR	IS61WV12816DBLL-10TLI	IS61WV12816DBLL-10BLI	IS61WV12816DBLL-10BLI-TR
描述	Application Specific SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48	Application Specific SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	8 weeks	8 weeks
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e3	e3	e1	e3
长度	18.415 mm	18.415 mm	8 mm	8 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bi	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	APPLICATION SPECIFIC SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	16	16	16	16
湿度敏感等级	1	3	3	1
功能数量	1	1	1	1
端子数量	44	44	48	48
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	260	225
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00007 A	0.00007 A	0.00007 A	0.00007 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.065 mA	0.065 mA	0.065 mA	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	6 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
ECCN代码	3A991	3A991	3A991.B.2.A	-

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