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5962F0052101V9A

产品描述BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, UUC16, 0.129 X 0.174 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, DIE-16
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小149KB,共23页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962F0052101V9A概述

BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, UUC16, 0.129 X 0.174 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, DIE-16

5962F0052101V9A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIE
包装说明DIE, DIE OR CHIP
针数16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-XUUC-N16
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装等效代码DIE OR CHIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源10/18 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压18 V
最小供电电压10 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量300k Rad(Si) V
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Make changes to t
T1
, T
DP
, V
PAUX
, t
T2
, T
DA
tests and switch footnotes 2 and 3
as specified under table I. - ro
DATE (YR-MO-DA)
00-08-21
APPROVED
R. MONNIN
B
Make changes to SEP as specified under 1.5 and I
CCS
, t
T1
, t
T2
tests as
specified in table I. – ro
00-09-20
R. MONNIN
C
Make correction to PWR pin description as specified in figure 1. - ro
01-12-14
R. MONNIN
D
Make changes to UV- in table I, added footnote to 1.5 and table I. - gt
03-06-19
R. MONNIN
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
D
15
D
16
D
17
D
18
REV
SHEET
PREPARED BY
RICK OFFICER
D
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D
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1
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D
12
D
13
D
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
RAJESH PITHADIA
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
APPROVED BY
RAYMOND MONNIN
DRAWING APPROVAL DATE
00-07-26
MICROCIRCUIT, DIGITAL-LINEAR, RADIATION
HARDENED, COMPLEMENTARY SWITCH FET
DRIVER, MONOLITHIC SILICON
AMSC N/A
REVISION LEVEL
D
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
22
5962-00521
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E446-03

5962F0052101V9A相似产品对比

5962F0052101V9A 5962R0052101TXC 5962F0052101VXC 5962F0052101QXC
描述 BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, UUC16, 0.129 X 0.174 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, DIE-16 BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DIE DFP DFP DFP
包装说明 DIE, DIE OR CHIP DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3
针数 16 16 16 16
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 USML XV(E) EAR99
高边驱动器 YES YES YES YES
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-XUUC-N16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIE DFP DFP DFP
封装等效代码 DIE OR CHIP FL16,.3 FL16,.3 FL16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP FLATPACK FLATPACK FLATPACK
电源 10/18 V 10/18 V 10/18 V 10/18 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class T MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q
最大供电电压 18 V 18 V 18 V 18 V
最小供电电压 10 V 10 V 10 V 10 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD FLAT FLAT FLAT
端子位置 UPPER DUAL DUAL DUAL
总剂量 300k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
Base Number Matches 1 1 1 -
JESD-609代码 - e4 e4 e4
座面最大高度 - 2.92 mm 2.92 mm 2.92 mm
端子面层 - GOLD GOLD GOLD
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
宽度 - 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

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