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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRL620-005PBF
PDF数据手册

IRL620-005PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB，共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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IRL620-005PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

IRL620-005PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)5.2 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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